1 RF կոաքսիալ միակցիչ՝
1.1 Նյութ և ծածկույթ
Ներքին հաղորդիչ՝ արույր, արծաթապատ, ծածկույթի հաստությունը՝ ≥0.003 մմ
Մեկուսիչ դիէլեկտրիկ՝ PTFE
Արտաքին հաղորդիչ՝ արույր, եռակի համաձուլվածքով պատված, ծածկույթի հաստությունը ≥0.002 մմ
1.2 Էլեկտրական և մեխանիկական առանձնահատկություններ
Բնութագրերի դիմադրություն՝ 50Ω
Հաճախականության միջակայք՝ DC-3GHz
Դիէլեկտրիկ ամրություն՝ ≥2500V
Կոնտակտային դիմադրություն՝ ներքին հաղորդիչ≤1.0մΩ, արտաքին հաղորդիչ≤0.4մΩ
Մեկուսիչի դիմադրություն՝ ≥5000 ՄΩ (500 Վ հաստատուն հոսանք)
VSWR: ≤1.15 (DC-3GHz)
PIM: ≤-155dBc@2x43dBm
Միակցիչի դիմացկունություն՝ ≥500 ցիկլ
2 RF կոաքսիալ մալուխ՝ 1/2" գերճկուն RF մալուխ
2.1 Նյութ
Ներքին հաղորդիչ՝ պղնձով պատված ալյումինե մետաղալար (φ3.60 մմ)
Մեկուսիչ դիէլեկտրիկ՝ պոլիէթիլենային փրփուր (φ8.90 մմ)
Արտաքին հաղորդիչ՝ ալիքավոր պղնձե խողովակ (φ12.20 մմ)
Մալուխի պատյան՝ PE (φ13.60 մմ)
2.2 Հատկանիշ
Բնութագրերի դիմադրություն՝ 50Ω
Ստանդարտ կոնդենսատոր՝ 80pF/մ
Փոխանցման մակարդակը՝ 83%
Նվազագույն մեկ ծռման շառավիղ՝ 50 մմ
Ձգման ամրություն՝ 700N
Մեկուսացման դիմադրություն՝ ≥5000 ՄΩ
Պաշտպանիչ թուլացում. ≥120dB
VSWR: ≤1.15 (0.01-3 ԳՀց)
3 Ցատկող մալուխ
3.1 Մալուխի բաղադրիչի չափը՝
Մալուխային հավաքածուների ընդհանուր երկարությունը՝
1000 մմ ± 10
2000 մմ ± 20
3000 մմ ± 25
5000 մմ ± 40
3.2 Էլեկտրական առանձնահատկություն
Հաճախականության գոտի՝ 800-2700 ՄՀց
Բնութագրերի դիմադրություն՝ 50Ω±2
Աշխատանքային լարումը՝ 1500 Վ
VSWR: ≤1.11 (0.8-2.2 ԳՀց), ≤1.18 (2.2-2.7 ԳՀց)
Մեկուսացման լարումը՝ ≥2500V
Մեկուսացման դիմադրություն՝ ≥5000 ՄΩ (500 Վ հաստատուն հոսանք)
PIM3: ≤-150dBc@2x20W
Ներդրման կորուստ՝
| Հաճախականություն | 1m | 2m | 3m | 5m |
| 890-960 ՄՀց | ≤0.15դԲ | ≤0.26դԲ | ≤0.36դԲ | ≤0.54դԲ |
| 1710-1880 ՄՀց | ≤0.20դԲ | ≤0.36դԲ | ≤0.52դԲ | ≤0.80դԲ |
| 1920-2200 ՄՀց | ≤0.26դԲ | ≤0.42դԲ | ≤0.58դԲ | ≤0.92դԲ |
| 2500-2690 ՄՀց | ≤0.30դԲ | ≤0.50դԲ | ≤0.70դԲ | ≤1.02դԲ |
| 5800-5900 ՄՀց | ≤0.32դԲ | ≤0.64դԲ | ≤0.96դԲ | ≤1.6դԲ |
Մեխանիկական հարվածի փորձարկման մեթոդ՝ MIL-STD-202, մեթոդ 213, փորձարկման պայման I
Խոնավության դիմադրության փորձարկման մեթոդ՝ MIL-STD-202F, մեթոդ 106F
Ջերմային ցնցման փորձարկման մեթոդ՝ MIL-STD-202F, մեթոդ 107G, փորձարկման պայման A-1
3.3. Միջավայրի առանձնահատկություն
Ջրակայունություն՝ IP68
Աշխատանքային ջերմաստիճանի միջակայք՝ -40°C-ից մինչև +85°C
Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք՝ -70°C-ից մինչև +85°C
N կամ 7/16 կամ 4310 1/2″ գերճկուն մալուխի տեղադրման հրահանգներ
Միակցիչի կառուցվածքը՝ (Նկ. 1)
Ա. առջևի ընկույզ
Բ. հետևի ընկույզ
Գ. միջադիր

Ապամոնտաժման չափերը ցույց են տրված դիագրամում (Նկար 2), ապամոնտաժման ժամանակ պետք է ուշադրություն դարձնել հետևյալին.
1. Ներքին հաղորդչի ծայրային մակերեսը պետք է թեքված լինի։
2. Հեռացրեք մալուխի ծայրային մակերեսի վրայի խառնուրդները, ինչպիսիք են պղնձի թեփուկը և փշրանքները:

Հերմետիկ մասի հավաքում. Պտուտակեք հերմետիկ մասը մալուխի արտաքին հաղորդչի երկայնքով, ինչպես ցույց է տրված դիագրամում (Նկար 3):

Հետևի պտուտակի հավաքումը (Նկ. 3):

Միացրեք առջևի և հետևի պտուտակները՝ պտուտակելով, ինչպես ցույց է տրված դիագրամում (Նկ. 5):
1. Պտուտակելուց առաջ օ-օղակի վրա քսեք քսող քսուքի մի շերտ:
2. Պահեք հետևի պտուտակը և մալուխը անշարժ, պտուտակեք գլխավոր պատյանի մարմինը հետևի պատյանի մարմնի վրա: Պտուտակեք հետևի պատյանի գլխավոր պատյանի մարմինը՝ օգտագործելով կապիկ-բանալի: Հավաքումն ավարտված է:
