Կոմբինատոր
Ապրանքներ
-
Հիբրիդային կոմբինատոր 2×2
Առանձնահատկություններ ◆ Լայն հաճախականության գոտի 698-4000 ՄՀց ◆ 2G/3G/4G/LTE/5G ծածկույթ ◆ Ցածր պասիվ միջմոդուլացիա ◆ Ցածր VSWR և տեղադրման կորուստ ◆ Բարձր մեկուսացում, ներսի և դրսի բարձր կառուցման համար ◆ Օգտագործվում է IP65: Ուղղորդություն / Մեկուսացում ◆ Հզորության վարկանիշ 300 Վտ մեկ մուտքի համար, բարձր հուսալիություն ◆ Ցածր ներդրման կորուստ, ցածր VSWR, ցածր PIM(IM3) էլեկտրական բնութագրեր Բնութագրեր Դիմադրություն 50 Օմ Հաճախականության տիրույթ 698-2700 ՄՀց Առավելագույն հզորություն 200000 -
Հիբրիդային կոմբինատոր 3×3
Առանձնահատկություններ ◆ Լայն հաճախականության տիրույթ 698-4000 ՄՀց ◆ 2G/3G/4G/LTE/5G ծածկույթ ◆ Ցածր պասիվ միջմոդուլացիա ◆ Ցածր VSWR և տեղադրման կորուստ ◆ Բարձր մեկուսացում, ներսի և դրսի համար օգտագործված է Wi-65: Բնութագրեր Բնութագրերը դիմադրություն 50 Օմ Հաճախականության տիրույթ 698-2690 ՄՀց Առավելագույն հզորություն Հզորությունը 200 վտ Մեկուսացում ≥20 դԲ VSWR ≤1.25 IMD3, dBc@+43DbMX2 ≤-155 Միակցիչի տեսակը D6... -
Հիբրիդային կոմբինատոր 4×4
Առանձնահատկություններ ◆ Լայն հաճախականության տիրույթ 698-4000 ՄՀց ◆ 2G/3G/4G/LTE/5G ծածկույթ ◆ Ցածր պասիվ միջմոդուլացիա ◆ Ցածր VSWR և տեղադրման կորուստ ◆ Բարձր մեկուսացում, ներսի և դրսի համար օգտագործված է Wi-65: Բնութագրեր Բնութագրերը դիմադրություն 50 Օմ Հաճախականության տիրույթ 790-2690 ՄՀց Առավելագույն հզորություն Հզորությունը 200 վտ Մեկուսացում ≥20դԲ Տեղադրման կորուստ ≤7.0 VSWR ≤1.25 IMD3, dBc@+45≤BMC. Քանակ... -
Penta-band Combiner 4×1
Առանձնահատկություններ ● Բարձր ուղղորդում / Մեկուսացում ● Հզորության վարկանիշ 200 Վտ մեկ մուտքի համար, Բարձր հուսալիություն ● Ցածր ներդրման կորուստ, ցածր VSWR, ցածր PIM(IM3) էլեկտրական բնութագրեր Բնութագրերի դիմադրություն 50 Օմ Հաճախականության տիրույթ / Տեղադրման կորուստ 790-960/3. 1710-1880 / ≤0,35 Հաճախականության տիրույթ / Տեղադրման կորուստ 1920-2170 / ≤0,35 Հաճախականության տիրույթ / Տեղադրման կորուստ 2500-2700 / ≤0,35 Մեկուսացում ≥50 VSWR2, IMD20, 2, 2000 dBc@+43dBmX2 ≤-150dBc... -
Եռախմբային կոմբինատոր (փակ)
Առանձնահատկություններ ● Բարձր ուղղորդում / Մեկուսացում ● Հզորության գնահատում 200 Վտ մեկ մուտքի համար, Բարձր հուսալիություն ● Ցածր ներդրման կորուստ, ցածր VSWR, ցածր PIM (IM3) էլեկտրական բնութագրեր Բնութագրերի դիմադրություն 50 Օմ Հաճախականության տիրույթ / Տեղադրման հաճախականություն 800-960/6. 1710-1880 / ≤0.6 Հաճախականության միջակայք / Տեղադրման կորուստ 1920-2170 / ≤0.6 Հաճախականության տիրույթ / Տեղադրման կորուստ 2500-2700/ ≤0.6 Մեկուսացում ≥20 VSWR 5000000000. dBc@+43dBmX2 ≤-150dBc Ք...